[发明专利]用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统有效
| 申请号： | 201110437046.6 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102543952B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | J.博伊克;R.拉奇纳;T.迈耶;H.谢弗 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 谢攀,卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。公开了用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括包括熔丝区域的衬底，布置在熔丝区域中的至少一个熔丝，和布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 封装 半导体器件 之后 提供 熔融 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括熔丝区域的衬底；布置在熔丝区域中的至少一个熔丝；布置在衬底之上的至少一个层；和布置在所述至少一个层上的至少一个暴露的导电元件，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口以便在封装之后提供熔融，并且其中在所述至少一个熔丝暴露于周围环境的情况下执行所述熔融。
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