[发明专利]用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括熔丝区域的衬底；

布置在熔丝区域中的至少一个熔丝；和

布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个层包括：

布置在衬底之上的介电层；

布置在介电层的一部分之上且在所述至少一个开口周围的再分布层；和

布置在再分布层之上和在所述至少一个开口周围的焊接停止层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

布置在所述至少一个熔丝之上的薄的保护层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中通过所述至少一个开口除去所述至少一个熔丝的一部分。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

布置在所述至少一个熔丝之上的焊接停止层。

6.一种半导体器件，包括：

布置在衬底内的多个接触垫；

布置在衬底之上且在所述多个接触垫周围的至少一个层；和

布置在多个垫中的一些之间以形成至少一个熔丝的再分布层。

7.如权利要求6所述的半导体器件，还包括：

布置在所述至少一个熔丝之上的薄的保护层。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述至少一个层包括：

暴露所述多个接触垫的至少一个开口；和

布置在衬底之上、在所述至少一个开口周围的介电层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述再分布层被布置在所述至少一个开口中。

10.如权利要求6所述的半导体器件，还包括：

布置在所述再分布层之上的焊接停止层。

11.如权利要求6所述的半导体器件，其中再分布层的一部分被除去以断开所述至少一个熔丝中的一些。

12.一种半导体器件，包括：

布置在衬底内的多个接触垫；

布置在衬底之上且在所述多个接触垫周围的至少一个层；

布置在所述多个接触垫之上以形成至少一个熔丝的再分布层。

13.如权利要求12所述的半导体器件，还包括：

布置在所述多个接触垫中的一些之间以接通所述至少一个熔丝的导电层。

14.如权利要求12所述的半导体器件，还包括：

布置在所述至少一个层和导电层之上的焊接停止层。

15.一种用于提供熔融的方法，包括：

执行晶片的处理；

封装晶片；

执行晶片的电气性能测试；和

在晶片的电气性能测试之后对晶片执行熔融。

16.根据权利要求15所述的方法，其中执行晶片的处理包括：

在晶片中提供具有至少一个熔丝的熔丝区域；和

在所述熔丝区域之上提供至少一个开口。

17.如权利要求16所述的方法，其中封装晶片包括：

在晶片之上、在至少一个开口周围布置介电层；

在介电层的一部分之上且在所述至少一个开口周围布置再分布层；和

在再分布层之上且在所述至少一个开口周围布置焊接停止层。

18.如权利要求16所述的方法，其中对晶片执行熔融包括：

通过所述至少一个开口利用激光断开至少一个熔丝。

19.如权利要求15所述的方法，其中执行晶片的处理包括：

提供具有多个接触垫的熔丝区域。

20.如权利要求19所述的方法，其中封装晶片包括：

在晶片之上、在多个接触垫周围布置介电层；

在所述多个接触垫之间布置再分布层以形成至少一个熔丝；

在所述至少一个熔丝周围布置焊接停止层以提供至少一个着落垫；和

在着落垫之上布置至少一个导电元件。

21.如权利要求20所述的方法，其中对晶片执行熔融包括：

利用激光除去再分布层的一部分以断开所述至少一个熔丝。