[发明专利]用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统

说明书

技术领域

本发明大体上涉及在半导体器件中提供熔融（fusing）。特别地，本公开涉及用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。

背景技术

在一些半导体器件中，放置熔丝以提供特定功能，例如，调整雷达传感器的频率。这些熔丝通常是在晶片级测试期间易被激光熔断的铝结构。这是因为在器件被封装之前熔丝被放置在半导体器件中。这影响了整体半导体器件的性能。因此，存在着对用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统的需要。

发明内容

公开了用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：包括熔丝区域的衬底，布置在熔丝区域中的至少一个熔丝，和布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。

在可替换的实施例中，所述半导体器件包括布置在衬底内的多个接触垫，布置在衬底之上且在所述多个接触垫周围的至少一个层；和布置在多个垫中的一些之间以形成至少一个熔丝的再分布层。

在又一个可替换的实施例中，半导体器件包括布置在衬底内的多个接触垫，布置在衬底之上且在所述多个接触垫周围的至少一个层，布置在所述多个接触垫之上以形成至少一个熔丝的再分布层。

在再又一个可替换的实施例中，一种用于提供熔融的方法包括：执行晶片的处理，封装晶片，执行晶片的电气性能测试，和在晶片的电气性能测试之后对晶片执行熔融。

在另一实施例中，提供了一种熔丝设备，其包括：提供在晶片中的熔丝区域，所述熔丝区域包括至少一个开口；布置在所述至少一个开口中的至少一个熔丝；和布置在所述至少一个开口周围的至少一个层。

附图说明

图1示意了根据本公开的一个实施例的用于在封装半导体器件之后提供熔融的示例性过程的流程图。

图2A到2F是示意根据本公开的一个实施例的用于在封装半导体器件之后提供熔融的过程的图解。

图3A是示意根据本公开的一个实施例的在熔融之前的具有一个或多个熔丝的示例性熔丝区域的图解。

图3B是示意根据本公开的一个实施例的在熔融之后的具有一个或多个熔丝的示例性熔丝区域的图解。

图4A到4F是示意根据本公开的可替换的实施例的用于在封装半导体器件之后提供熔融的过程的图解。

图5A到5C是示意根据本公开的一个实施例的在再分布层中形成的熔丝的图解。

图6A到6F是示意根据本公开的可替换的实施例的在封装半导体器件之后提供熔融的图解。

图7A到7C是示意根据本公开的可替换的实施例的在再分布层中形成的熔丝的图解。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参照附图，所述附图形成其一部分，并且其中通过例示来示出其中可以实践本发明的具体实施例。在这点上，方向性术语，例如顶、底、前、后、首、尾等参照所描述的（一个或多个）附图的取向来使用。因为实施例的组件能够以多个不同取向进行定位，所以方向性术语是出于例示目的而使用，并且绝非进行限制。要理解的是，可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑改变而不偏离本发明的范围。以下具体实施方式因此不要以限制意义进行理解，并且本发明的范围由所附权利要求来限定。

要理解的是，在此描述的各种示例性实施例的特征可以彼此结合，除非另外特别指出。

以下描述了具有半导体芯片的器件。半导体芯片可以具有非常不同的类型，可以通过不同的技术来制造，并且可以包括例如集成的电或光电电路或无源元件或MEMS等等。半导体芯片可以被配置为例如功率晶体管、功率二极管、IGBT（绝缘栅双极晶体管）。半导体芯片可以具有垂直结构并且可以如此制造以使得电流能够以与半导体芯片的主表面垂直的方向流动。这些半导体芯片可以具有布置在其主表面上的接触元件，所述主表面包括顶面和底面。具有垂直结构的半导体芯片的示例包括功率晶体管和功率二极管。在功率晶体管的情况下，源电极和栅电极可以被布置第一主表面上而漏电极可以被布置在第二主表面上。在功率二极管的情况下，阳极电极可以被布置第一主表面上而阴极电极可以被布置在第二主表面上。