[发明专利]半导体器件封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201110427046.8 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102543946A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | R·A·博普雷;P·A·麦康奈利;A·V·高达;T·B·戈尔茨卡 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为半导体器件封装及其制造方法。一种半导体器件封装，包括具有其上形成的连接垫片的半导体器件，其中连接垫片在半导体器件的第一表面和第二表面上形成，半导体器件边缘在第一表面和第二表面之间延伸。在半导体器件上施加第一钝化层，并且半导体器件的第一表面附有基极介电层压材料，其厚度大于第一钝化层的厚度。在第一钝化层和半导体器件上方施加厚度大于第一钝化层厚度的第二钝化层，以覆盖半导体器件的第二表面和边缘，并且金属互连耦合到连接垫片，其中金属互连贯穿穿过第一钝化层和第二钝化层及基极介电层压片形成的通孔，以形成与连接垫片的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件封装(10)，包括：半导体器件(12)，其包括由半导体材料组成的衬底(14)和在所述衬底(14)上形成的多个金属连接垫片(16)，所述多个金属连接垫片(16)在所述半导体器件(12)的第一和第二相对表面(18、20)的每个上形成，其中所述半导体器件(12)的边缘(24)在所述第一表面与第二表面之间(18、20)延伸；施加到所述半导体器件(12)上的第一钝化层(22)，施加所述第一钝化层(22)以覆盖包括在所述衬底(14)上形成的所述多个金属连接垫片(16)的所述半导体器件(12)；附于所述半导体器件(12)的所述第一表面(18)的基极介电层压片(42)，所述基极介电层压片(42)的厚度大于所述第一钝化层(22)的厚度；第二钝化层(30)，其施加到所述第一钝化层(22)和所述半导体器件(12)上方并且厚度大于所述第一钝化层(22)的厚度，其中所述第二钝化层(30)覆盖所述半导体器件(12)的所述第二表面(20)和所述边缘(24)；以及电耦合到所述半导体器件(12)的所述多个金属连接垫片(16)的多个金属互连(36)，所述多个金属互连(36)的每一个贯穿穿过所述第一钝化层和第二钝化层(18、20)及所述基极介电层压片(42)形成的相应通孔(34)，以形成与所述多个金属连接垫片(16)中的一个的直接金属连接。
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