[发明专利]具有自加热结构的半导体器件、其制造方法和测试方法有效
| 申请号： | 201110422533.5 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102969301A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 柯家洋;邱盈翰;王琳松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有自加热结构的半导体器件、其制造方法以及测试方法。在一个实施例中，半导体器件包括工件；有源电结构，被设置在该工件上方；以及至少一个自加热结构，被设置为与该有源电结构相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加热 结构 半导体器件 制造 方法 测试 | ||
【主权项】：
一种半导体器件包括：工件；有源电结构，被设置在所述工件上方；以及至少一个自加热结构，被设置为邻近所述有源电结构。
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