[发明专利]半导体结构及方法

摘要

一个实施例是半导体结构。该半导体结构包括至少两个处于衬底上的栅极结构。该栅极结构限定了处于该栅极结构之间的凹槽，且该凹槽在垂直方向上限定出深度。该深度是从至少一个该栅极结构的顶面到该衬底的顶面下方，且该深度在该衬底的隔离区域内延伸。该半导体结构进一步包括处于该凹槽中的填充材料。该填充材料具有在垂直方向上的第一厚度。该半导体结构还包括处于该凹槽中和该填充材料上方的层间介电层。该层间介电层具有处于至少一个该栅极结构顶面下方在垂直方向上的第二厚度。该第一厚度大于该第二厚度。本发明还涉及半导体结构及方法。

主权项

一种半导体结构，包括：至少两个处于衬底上的栅极结构，所述栅极结构限定了处于所述栅极结构之间的凹槽，所述凹槽在垂直方向上限定出深度，所述深度从至少一个所述栅极结构的顶面到所述衬底的顶面下方，所述深度在所述衬底的隔离区域内延伸；处于所述凹槽中的填充材料，所述填充材料具有在所述垂直方向上的第一厚度；以及处于所述凹槽中和填充材料上方的层间介电层，所述层间介电层具有在至少一个所述栅极结构的顶面下方在所述垂直方向上的第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。