[发明专利]监控多晶硅侧墙下轻掺杂注入稳定性的测试结构及方法有效
| 申请号： | 201110376912.5 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137603A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监控多晶硅侧墙下轻掺杂注入稳定性的测试结构，具有第一导电类型的硅基板上形成有由场氧隔离的有源区，有源区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，所述有源区的两侧缘上方及场氧上方生长有多晶硅，多晶硅的两侧形成有侧墙，至少两个有源区通过相同大小的矩形有源区连接，每个矩形有源区上具有相同数量的通孔，每个矩形有源区上的通孔通过一根金属线引出，所述每根金属线的两端分别形成不同的测试端口。本发明还公开一种利用卡尔文四端测电阻法的测试方法。本发明可以在硅片允收测试阶段通过监控轻掺杂注入电阻值来有效地反映工艺的稳定性，一旦波动可以第一时间发现并解决问题，避免不符合要求的硅片造成经济影响。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 多晶 硅侧墙下轻 掺杂 注入 稳定性 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种监控多晶硅侧墙下轻掺杂注入稳定性的测试结构，其特征在于：具有第一导电类型的硅基板(101)上形成有由场氧(104)隔离的有源区(201)，所述有源区(201)具有与第一导电类型相反的第二导电类型，所述有源区(201)的两侧缘上方及场氧(104)上方生长有多晶硅(202)，多晶硅(202)的两侧形成有侧墙(105)，所述测试结构包括至少两个有源区(201)，有源区(201)通过相同大小且同类型的矩形有源区(204)连接，每个矩形有源区(204)上具有相同数量的通孔(205)，每个矩形有源区(204)上的通孔(205)通过一根金属线引出，所述每根金属线的两端分别形成不同的测试端口。
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