[发明专利]在半导体小片和互连结构周围形成可穿透膜包封料的半导体器件和方法

摘要

本发明涉及在半导体小片和互连结构周围形成可穿透膜包封料的半导体器件和方法。半导体器件具有形成在载体上的多个凸块。在凸点之间将半导体小片安装到载体上。将具有基层、第一粘合剂层以及第二粘合剂层的可穿透膜包封料层置于半导体小片和凸块上。将可穿透膜包封料层按压到半导体小片和凸块上以将半导体小片和凸块嵌入第一粘合剂层和第二粘合剂层之内。分离第一粘合剂层和第二粘合剂层以去除基层和第一粘合剂层并且将第二粘合剂层留在半导体小片和凸块周围。使凸块从第二粘合剂层中露出。将载体去除。在半导体小片和第二粘合剂层上形成互连结构。在第二粘合剂层上形成与凸块电气相连的导电层。

主权项

一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供第一互连结构，其中所述第一互联结构是z方向竖向互连结构；提供包括有源表面和与该有源表面相对的非有源表面的半导体小片；提供包括第一粘合剂层和与该第一粘合剂层接触的第二粘合剂层的可穿透膜包封料；将所述可穿透膜包封料按压到所述半导体小片的所述非有源表面上和所述第一互连结构的第一部分周围，其中所述第一粘合剂层完全覆盖所述半导体小片的所述非有源表面并且所述第一互连结构的第二部分延伸到所述第二粘合剂层中，从而减少所述半导体小片的横向和竖向偏移；去除所述可穿透膜包封料的第二粘合剂层以露出所述第一互连结构的第二部分而同时使得所述可穿透膜包封料的第一粘合剂层完全覆盖所述半导体小片的非有源表面并且覆盖在所述第一互连结构的第一部分周围；以及在所述半导体小片的有源表面和所述可穿透膜包封料的第一粘合剂层上形成第二互连结构。