[发明专利]在半导体小片和互连结构周围形成可穿透膜包封料的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：

提供临时载体；

在所述临时载体上形成多个第一凸块；

在所述第一凸块之间将半导体小片安装到所述临时载体上；

提供包括基层、第一粘合剂层以及第二粘合剂层的可穿透膜包封料层；

将所述可穿透膜包封料层按压到所述半导体小片和第一凸块上以将所述半导体小片和第一凸块嵌入所述第一粘合剂层和第二粘合剂层之内；

将所述可穿透膜包封料层固化；

分离所述第一粘合剂层和第二粘合剂层以去除所述基层和第一粘合剂层并且将所述第二粘合剂层留在所述半导体小片和第一凸块周围；

去除所述临时载体；以及

在所述半导体小片和第二粘合剂层上形成互连结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凸块延伸至所述第二粘合剂层之上。

3.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述互连结构上形成多个第二凸块。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二粘合剂层与所述半导体小片共面。

5.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述第二粘合剂层上形成与所述第一凸块电气相连的导电层。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

层叠多个半导体器件；以及

通过所述第一凸块和互连结构使层叠的半导体器件电气相连。

7.一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：

提供载体；

在所述载体上形成第一互连结构；

将半导体小片安装到所述载体上；

提供可穿透膜包封料层；

将所述可穿透膜包封料层按压到所述半导体小片和第一互连结构上以将所述半导体小片和第一互连结构嵌入所述可穿透膜包封料层之内；

去除所述可穿透膜包封料层的第一部分以露出所述第一互连结构而同时将所述可穿透膜包封料层的第二部分留在所述半导体小片和第一互连结构周围；

去除所述载体；以及

在所述半导体小片和所述可穿透膜包封料层的第二部分上形成第二互连结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述可穿透膜包封料层包括基层、第一粘合剂层以及第二粘合剂层。

9.根据权利要求7所述的方法，其还包括将所述可穿透膜包封料层固化。

10.根据权利要求7所述的方法，其还包括在所述可穿透膜包封料层的第二部分上形成与所述第一互连结构电气相连的导电层。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一互连结构包括凸块或导电立柱。

12.根据权利要求7所述的方法，其还包括：

层叠多个半导体器件；以及

通过所述第一互连结构和第二互连结构使层叠的半导体器件电气相连。

13.根据权利要求7所述的方法，其还包括在将所述半导体小片安装到所述载体上之前在所述半导体小片上的接触焊垫上形成凸块。

14.一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：

提供可穿透膜包封料层；

将所述可穿透膜包封料层按压到半导体小片和第一互连结构上以将所述半导体小片和第一互连结构嵌入所述可穿透膜包封料层之内；以及

去除所述可穿透膜包封料层的第一部分以露出所述第一互连结构而同时将所述可穿透膜包封料层的第二部分留在所述半导体小片和第一互连结构周围。

15.根据权利要求14所述的方法，其还包括在所述半导体小片和所述可穿透膜包封料层的第二部分上形成第二互连结构。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述可穿透膜包封料层包括基层、第一粘合剂层以及第二粘合剂层。

17.根据权利要求14所述的方法，其还包括将所述可穿透膜包封料层固化。