[发明专利]BSI图像传感器芯片中的焊盘结构有效
| 申请号： | 201110353065.0 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102915991A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林政贤;杨敦年;刘人诚;王文德;蔡双吉;林月秋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。本发明还提供了一种BSI图像传感器芯片中的焊盘结构。 | ||
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【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底，包括正面和背面；低k介电层，位于所述半导体衬底的正面上；非低k介电层，位于所述低k介电层上；金属焊盘，位于所述非低k介电层上；开口，从所述半导体衬底的背面延伸，穿透所述半导体衬底、所述非低k介电层、以及所述低k介电层，其中，所述开口暴露出所述金属焊盘的表面；以及钝化层，形成在所述开口的侧壁和底部上，其中，位于所述开口的底部上的所述钝化层部分地覆盖了所述金属焊盘所暴露出的表面。
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