[发明专利]BSI图像传感器芯片中的焊盘结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

半导体衬底，包括正面和背面；

低k介电层，位于所述半导体衬底的正面上；

非低k介电层，位于所述低k介电层上；

金属焊盘，位于所述非低k介电层上；

开口，从所述半导体衬底的背面延伸，穿透所述半导体衬底、所述非低k介电层、以及所述低k介电层，其中，所述开口暴露出所述金属焊盘的表面；以及

钝化层，形成在所述开口的侧壁和底部上，其中，位于所述开口的底部上的所述钝化层部分地覆盖了所述金属焊盘所暴露出的表面。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：介电焊盘，从所述半导体衬底的正面延伸到所述半导体衬底中，其中，所述开口进一步穿透所述介电焊盘，或者

进一步包括：图像传感器，被设置在所述半导体衬底的正面上，或者

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：凸块，位于所述开口中，并且电连接至所述金属焊盘，并且

其中，所述凸块与所述金属焊盘物理接触。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：金属屏蔽层，位于所述半导体衬底的背面上，并且

其中，所述钝化层延伸以覆盖所述金属屏蔽层。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：粘合层，位于所述金属焊盘和所述非低k介电层之间，其中，所述开口延伸到所述粘合层中。

6.一种集成电路结构，包括：

半导体衬底；

浅沟槽隔离(STI)焊盘，从所述半导体衬底的正面延伸到所述半导体衬底中；

图像传感器，被设置在所述半导体衬底的正面上；

多层介电层，覆盖所述图像传感器和所述半导体衬底的正面；

金属焊盘，覆盖所述多层介电层；

开口，从所述半导体衬底的背面延伸到所述半导体衬底的正面，穿过所述STI焊盘和所述多层介电层，并且暴露出所述金属焊盘的一部分；以及

钝化层，形成在所述开口的侧壁和底部上，其中，位于所述开口的底部上的所述钝化层部分地覆盖了所述金属焊盘所暴露出的部分。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述多层介电层包括：至少一层低k介电层，位于所述半导体衬底的正面上方；以及第一非低k介电层，位于所述至少一层低k介电层上，并且

进一步包括：第二非低k介电层，位于所述第一非低k介电层上方，并且

进一步包括：

第一粘合层，位于所述金属焊盘和所述第一非低k介电层之间；以及

第二粘合层，位于所述金属焊盘和所述第二非低k介电层之间。

8.根据权利要求6所述的集成电路结构，进一步包括：凸块，位于所述开口中，并且与所述金属焊盘物理接触，或者

其中，所述金属焊盘包含铝。

9.一种背照式图像传感器器件，包括：

半导体衬底，包括正面和背面；

多层介电层，位于所述半导体衬底的正面上；

金属焊盘，位于所述多层介电层上；

开口，从所述半导体衬底的背面延伸，穿透所述半导体衬底和所述多层介电层，暴露出所述金属焊盘的一部分；以及

凸块，形成在所述开口中，以电连接至所述金属焊盘。

10.根据权利要求9所述的背照式图像传感器器件，进一步包括：钝化层，位于所述凸块和所述多层介电层之间，或者

进一步包括：图像传感器，形成在所述半导体衬底的正面上，并且被所述多层介电层覆盖，或者

进一步包括：浅沟槽隔离件，形成在所述半导体衬底的正面上，其中，所述开口穿透所述浅沟槽隔离件，或者

进一步包括：金属屏蔽层，位于所述半导体衬底的背面上，或者

其中，所述金属焊盘包含铝。