[发明专利]半导体晶圆输送方法及半导体晶圆输送装置无效
| 申请号： | 201110346411.2 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102479735A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 山本雅之;长谷幸敏 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶圆输送方法及半导体晶圆输送装置。通过加热将借助具有加热剥离性的粘合层的双面粘合带与支承板贴合在一起的半导体晶圆从支承板分离，在保持台上从半导体晶圆剥离双面粘合带后，在用晶圆输送部输送半导体晶圆期间用空气喷嘴对上述半导体晶圆进行规定时间的预冷却。在完成预冷却时将半导体晶圆载置于冷却台上使其冷却到目标温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 输送 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆输送方法，其用于输送被树脂或者粘合带覆盖的半导体晶圆，其中，上述方法包含以下过程：在将处于加热状态的上述半导体晶圆输送到冷却台的过程中预冷却该半导体晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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