[发明专利]半导体晶圆输送方法及半导体晶圆输送装置

权利要求书

1.一种半导体晶圆输送方法，其用于输送被树脂或者粘合带覆盖的半导体晶圆，其中，上述方法包含以下过程：

在将处于加热状态的上述半导体晶圆输送到冷却台的过程中预冷却该半导体晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆输送方法，其中，

在将处于加热状态的上述半导体晶圆输送到第1冷却台的过程中预冷却该半导体晶圆；

在上述第1冷却台冷却半导体晶圆直至上述树脂达到玻化温度；

在将上述树脂达到玻化温度的半导体晶圆输送到输出位置的第2冷却台的过程中冷却该半导体晶圆；

在上述第2冷却台将半导体晶圆冷却到室温。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆输送方法，其中，

上述预冷却是从配备于在输送路径上通过的上述半导体晶圆上方的喷嘴吹送气体而进行冷却。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆输送方法，其中，

上述预冷却是自输送路径朝向半导体晶圆的背面吹送气体而进行冷却。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆输送方法，其中，

上述预冷却是自配备于在输送路径上通过的上述半导体晶圆上方的喷嘴吹送气体，同时自输送路径朝向半导体晶圆的背面吹送气体而进行冷却。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆输送方法，其中，

在将规定温度的处于加热状态的上述半导体晶圆冷却到目标温度时，为了将半导体晶圆的翘曲量控制在规定范围，预先求得冷却温度和树脂的收缩率或者粘合带的收缩率的相关关系，

一边用检测器检测输送过程中的上述半导体晶圆的温度及输送速度，一边根据检测结果控制朝向半导体晶圆供给的气体的温度、流量及半导体晶圆的输送速度中的至少任一项。

7.一种半导体晶圆输送装置，其用于输送被树脂或者粘合带覆盖的半导体晶圆，其中，上述装置包含以下结构：

晶圆输送部，其用于输送处于加热状态的上述半导体晶圆；

预冷却喷嘴，其用于朝向由上述晶圆输送部输送的半导体晶圆吹送气体；

保持台，其用于载置保持经过了预冷却的上述半导体晶圆；

冷却器，其用于冷却上述保持台上的半导体晶圆。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆输送装置，其中，

上述保持台由第1保持台和第2保持台构成，上述第1保持台包括用于将上述树脂冷却到玻化温度的冷却器，上述第2保持台包括用于将上述半导体晶圆冷却到室温的冷却器，

上述晶圆输送部配备于上述第1保持台的上游侧以及该第1保持台与第2保持台之间。

9.根据权利要求7所述的半导体晶圆输送装置，其中，

上述晶圆输送部在输送面上设有第1吹送部和第2吹送部，该第1吹送部用于沿半导体晶圆的输送方向从该晶圆输送部的中央部分朝向半导体晶圆背面向正上方吹送气体，该第2吹送部用于从半导体晶圆的宽度方向朝向半导体晶圆背面向中央倾斜地吹送气体，以使半导体晶圆悬浮于在半导体晶圆宽度方向上具有规定余量的大于该半导体晶圆的输送面上的状态输送该半导体晶圆，

调整从上述预冷却喷嘴、第1吹送部及第2吹送部供给的气体的流量，来控制半导体晶圆的移动并控制半导体晶圆的冷却。

10.根据权利要求7所述的半导体晶圆输送装置，其中，该装置还包括：

多个温度检测器，其用于检测在上述晶圆输送部上输送的半导体晶圆的温度和上述保持台上的半导体晶圆的温度；

速度检测器，其用于检测由上述晶圆输送部输送的上述半导体晶圆的输送速度；

存储部，在将规定温度的处于加热状态的上述半导体晶圆冷却到目标温度时，为了将半导体晶圆的翘曲量控制在规定范围内，预先求得冷却温度和树脂的收缩率或者粘合带的收缩率的相关关系并将该相关关系存储于该存储部；

控制部，用上述温度检测器和速度检测器检测由上述晶圆输送部输送的上述半导体晶圆的温度和输送速度，该控制部根据该检测结果从存储部选择用于设定变更朝向半导体晶圆供给的气体的温度、流量及半导体晶圆的输送速度中的至少任一项的条件，来控制半导体晶圆的温度。