[发明专利]改良位线电容单一性的3D阵列存储器装置有效
| 申请号： | 201110344095.5 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102709269A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;吕函庭;陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改良位线电容单一性的3D阵列存储器装置，该装置具有多个平面位置；多条位线结构，具有多个平面位置的多个序列，每个序列描绘了一位线结构将该多个平面位置耦接至位线的顺序特征；每条位线被耦接于至少两相异的平面位置，使得能于两个以上相异的平面位置存取该多个存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 电容 单一性 阵列 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：一存储器阵列，具有位于多个平面位置的多个存储器单元；多条位线结构，具有多个平面位置的多个序列，该多个序列至少包括两相异序列，每个该多个序列描绘了该多条位线结构中的一位线结构耦接至该多条位线的该多个平面位置的顺序特征。
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