[发明专利]高K金属栅极半导体晶体管的结构有效
| 申请号： | 201110319582.6 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456720A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朴大奎;O.格鲁申科夫;骆志炯;D.谢皮斯;袁骏 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，其可包括高k金属栅极场效晶体管。该结构包括在应变硅层的顶部上直接形成的n型场效晶体管(NFET)和在同一应变硅层的顶部上但隔着硅锗(SiGe)层形成的p型场效晶体管(PFET)。应变硅层可形成在绝缘材料层的顶部上或具有渐变Ge含量变化的硅锗层上。此外，NFET和PFET形成为彼此相邻，并且由应变硅层内形成的浅沟槽隔离(STI)分开。本发明还提供形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 半导体 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：n型场效晶体管，直接形成在应变硅层的顶部上，所述应变硅层直接形成在绝缘材料层的顶部上；以及p型场效晶体管，隔着硅锗层形成在所述应变硅层的顶部上，其中所述n型场效晶体管和p型场效晶体管由所述应变硅层内形成的浅沟槽隔离分开。
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