[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201110316089.9 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102456415A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 朴镇寿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件，包括：每个都包括存储器单元和冗余存储器单元的第一存储器组和第二存储器组；分配给第一存储器组的第一主页缓冲器和分配给第二存储器组的第二主页缓冲器；耦接在第一存储器组与第一内部数据线之间的第一主页缓冲器和第一冗余页缓冲器，被配置成储存用于存储器单元和冗余存储器单元的编程或读取操作的数据；以及数据传输电路，被配置成在编程操作之前将数据从第一主页缓冲器中与第一存储器组的缺陷列相对应的第一主页缓冲器传输至所述至少一个第二冗余页缓冲器，以及将所述至少一个第二冗余页缓冲器的数据传输至第一主页缓冲器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：第一存储器组和第二存储器组，所述第一存储器组和所述第二存储器组每个都包括存储器单元和冗余存储器单元；分配给所述第一存储器组的第一主页缓冲器和分配给所述第二存储器组的第二主页缓冲器，其中，所述第一主页缓冲器和所述第二主页缓冲器被配置成每个都储存用于各个存储器组的存储器单元的编程操作或读取操作的数据；分配给所述第一存储器组的至少一个第一冗余页缓冲器和分配给所述第二存储器组的至少一个第二冗余页缓冲器，其中，所述第一存储器组的所述至少一个冗余页缓冲器和所述第二存储器组的所述至少一个冗余页缓冲器每个都被配置成将用于各个存储器组的缺陷列的数据储存在各个存储器组的至少一个冗余存储器单元中；以及数据传输电路，所述数据传输电路被配置成在所述编程操作之前将数据从所述第一主页缓冲器中与所述第一存储器组的缺陷列相对应的第一主页缓冲器传输至所述至少一个第二冗余页缓冲器，以及在所述读取操作之后将所述至少一个第二冗余页缓冲器的数据传输至与所述第一存储器组的缺陷列相对应的所述第一主页缓冲器。
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