[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年10月27日提交的韩国专利申请号为10-2010-0105340的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体存储器件，更具体地，涉及一种执行修复操作的半导体存储器件。

背景技术

如果在制造半导体存储器件时发现有缺陷的存储器单元，则所述半导体存储器件会被视为不良产品，并且如果因少数缺陷存储器单元的存在而丢弃整个半导体存储器件，则会导致半导体存储器件的成品率的下降。

因此，半导体存储器件还配备有保留的单位存储器单元，用保留的单位存储器单元来替换有缺陷的单位存储器单元，使得半导体存储器件即使存在有缺陷的单位存储器单元也是可用的。

如果半导体存储器件中存在有缺陷的列，则可以执行列修复操作以便用冗余列来替换有缺陷的列。

同时，为了增加数据输入/输出(I/O)速度，可以使用一种通过增加内部数据线的数量而将存储器阵列分成多个组的宽I/O(wide I/O)方法。根据所述宽I/O方法，由于即使相同的数据线由所述组所共用，也不会在所述组中使用冗余列，因此当冗余列不足时，可能会对一些组中的修复操作造成限制。

发明内容

根据示例性实施例，在输入数据之后或在输出数据之前，执行额外的修复操作，使得在宽I/O方法中不同的组可以共用冗余列。因此，可以提高修复操作的效率。

根据本发明一个方面，一种半导体存储器件包括：第一存储器组和第二存储器组，所述第一存储器组和所述第二存储器组每个都包括存储器单元和冗余存储器单元；分配给第一存储器组的第一主页缓冲器和分配给第二存储器组的第二主页缓冲器，其中第一主页缓冲器和第二主页缓冲器被配置成每个都储存用于各个存储器组的存储器单元的编程操作或读取操作的数据；分配给第一存储器组的至少一个第一冗余页缓冲器和分配给第二存储器组的至少一个第二冗余页缓冲器，其中第一存储器组的所述至少一个冗余页缓冲器和第二存储器组的所述至少一个冗余页缓冲器每个都被配置成将用于各个存储器组的缺陷列的数据储存在各个存储器组的至少一个冗余存储器单元中；以及数据传输电路，所述数据传输电路被配置成在编程操作之前将数据从第一主页缓冲器中与第一存储器组的缺陷列相对应的第一主页缓冲器传输至所述至少一个第二冗余页缓冲器，以及在读取操作之后将所述至少一个第二冗余页缓冲器的数据传输至与第一存储器组的缺陷列相对应的第一主页缓冲器。

根据本发明另一个方面，一种操作半导体存储器件的方法包括以下步骤：对第一存储器组相对应的第一主页缓冲器和至少一个第一冗余页缓冲器、以及对与第二存储器组相对应的第二主页缓冲器和至少一个第二冗余页缓冲器输入数据；当第一存储器组内的缺陷列的数量大于第一存储器组内利用所述至少一个冗余页缓冲器可修复的缺陷列的总数时，将输入至第一主页缓冲器中与第一存储器组的缺陷列相对应的第一主页缓冲器的数据传输至第二冗余页缓冲器；以及执行用于将第一主页缓冲器和第二主页缓冲器的数据、所述至少一个第一冗余页缓冲器和所述至少一个第二冗余页缓冲器的数据储存在第一存储器组和第二存储器组的存储器单元和冗余存储器单元中的编程操作。

根据本发明又一个方面，一种操作半导体存储器件的方法包括以下步骤：将从第一存储器组读取的数据储存在第一主页缓冲器和至少一个第一冗余页缓冲器中，并将从第二存储器组读取的数据储存在第二主页缓冲器和至少一个第二冗余页缓冲器中；当第一存储器组内的缺陷列的总数大于第一存储器组内利用所述至少一个冗余页缓冲器可修复的缺陷列的总数时，用储存在所述至少一个第二冗余页缓冲器中的数据来替换储存在第一主页缓冲器之中与第一存储器组的缺陷列相对应的第一主页缓冲器中的数据；以及经由第一内部数据线输出第一主页缓冲器和所述至少一个第一冗余页缓冲器的数据，并经由第二内部数据线输出第二主页缓冲器和所述至少一个第二冗余页缓冲器的数据。

附图说明

图1是说明根据本发明第一示例性实施例的操作半导体存储器件的方法的示意框图；

图2A和图2B是说明根据本发明第一示例性实施例的操作半导体存储器件的方法的流程图；

图3A和图3B是说明根据本发明第二示例性实施例的半导体存储器件的电路图；以及

图4A和图4B是说明操作根据本发明第二示例性实施例的半导体存储器件的方法的流程图。

具体实施方式

下面将参考附图详细描述本发明的一些示例性实施例。提供附图以使本领域普通技术人员能够实施和使用本发明的实施例。