[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法，其目的在于提供一种使被薄化加工了的半导体晶片的厚度均匀化，并且减少在其表面残存的异物数量的技术。半导体装置的制造方法具备：（a）在第1主面具有阶梯差结构（2）的半导体晶片（1）的表面上涂覆树脂构件（3）的工序；以及（b）加热树脂构件（3），使该树脂构件（3）的表面平坦化的工序，树脂构件（3）也在半导体晶片（1）侧面上形成。而且，该制造方法还具备：（c）在工序（b）之后，对半导体晶片（1）的背面实施半导体晶片（1）的薄化加工的工序；以及（d）在工序（c）之后，从半导体晶片（1）除去树脂构件（3）的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其中，具备：（a）在第1主面具有阶梯差结构的半导体晶片的所述第1主面上涂覆树脂构件的工序；以及（b）加热所述树脂构件，使该树脂构件的表面平坦化的工序，所述树脂构件也在所述半导体晶片侧面上形成，所述半导体装置的制造方法还具备：（c）在所述工序（b）之后，对所述半导体晶片的第2主面实施所述半导体晶片的薄化加工的工序；以及（d）在所述工序（c）之后，从所述半导体晶片除去所述树脂构件的工序。