[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110307815.0 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102651314A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 中田和成;寺崎芳明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其中，具备：
（a）在第1主面具有阶梯差结构的半导体晶片的所述第1主面上涂覆树脂构件的工序；以及
（b）加热所述树脂构件，使该树脂构件的表面平坦化的工序，
所述树脂构件也在所述半导体晶片侧面上形成，
所述半导体装置的制造方法还具备：
（c）在所述工序（b）之后，对所述半导体晶片的第2主面实施所述半导体晶片的薄化加工的工序；以及
（d）在所述工序（c）之后，从所述半导体晶片除去所述树脂构件的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还具备：
（e）在所述工序（c）和所述工序（d）之间，在所述半导体晶片的所述第2主面形成扩散层的工序；
（f）在所述工序（e）和所述工序（d）之间，在所述半导体晶片的所述第2主面上形成电极的工序。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，还具备：
（g）在所述工序（f）和所述工序（d）之间，将所述半导体晶片的所述第2主面装设到切割带的工序
（h）在所述工序（g）和所述工序（d）之间，通过对所述半导体晶片进行切割而使其单片化为芯片的工序。
4.根据权利要求1至权利要求3的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，还具备：
（i）在所述工序（b）和所述工序（c）之间，在所述树脂构件的被平坦化了的表面上粘贴表面保护带的工序；以及
（j）在所述工序（c）和所述工序（d）之间，将所述表面保护带从所述树脂构件进行剥离的工序。
5.根据权利要求1至权利要求3的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序（c）后的所述半导体晶片侧面上形成的所述树脂构件的厚度是5μm以上。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序（d）中，使用包含硫酸和过氧化氢水的混合液来除去所述树脂构件。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序（d）中，一并使用包含氧的等离子体处理来除去所述树脂构件。
8.一种半导体装置的制造方法，其中，具备：
（a）在第1主面具有阶梯差结构的半导体晶片的所述第1主面上直接涂覆树脂构件的工序；
（b）加热所述树脂构件，使该树脂构件的表面平坦化的工序；
（c）在所述工序（b）之后，对所述半导体晶片的第2主面实施所述半导体晶片的薄化加工的工序；以及
（d）在所述工序（c）之后，从所述半导体晶片除去所述树脂构件的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
