[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法，特别涉及实施半导体晶片的薄化加工的技术。

背景技术

在半导体装置中，在存储器、微处理器等的领域中，正在开展利用3维安装等的封装件的高密度化。伴随于此，要求使半导体晶片的厚度变薄，在半导体装置的加工完成时的半导体晶片的厚度，现在变薄到25μｍ左右的厚度。

此外，在产业用电动机、汽车电动机等的逆变器电路、大容量服务器的电源装置、以及无停电电源装置等中，主要使用用于操作数百千瓦到数兆瓦的比较大的功率的功率半导体装置（Power Semiconductor Device）。在该功率半导体装置中，例如存在MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管）、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）等的半导体开关。再有，作为IGBT，历来广泛地使用平面栅型的IGBT，但近年来为了高集成化，使用利用了沟槽栅的纵型的IGBT。

在这些功率半导体装置中，为了改善以导通特性等为代表的通电性能，进行使半导体晶片变薄的薄化加工。近年来，为了对成本方面/特性方面进行改善，基于通过FZ（Floating Zone，浮区）法而制作的晶片材料，通过薄型化到60μm左右的极薄晶片加工来制造器件。

在半导体晶片的薄化加工中，通常在应用了背磨（backgrinding）、抛光等机械式磨削（研磨）、和用于除去在机械磨削中产生的加工变形的湿法蚀刻、干法蚀刻等的化学式磨削（研磨）之后，进行各种各样的加工。历来，为了抑制起因于在半导体晶片形成的阶梯差结构等而在磨削时该半导体晶片破裂，在半导体晶片的形成有阶梯差结构的表面，粘贴有作为加强构件和阶梯差吸收构件的表面保护带（tape）。

可是，在近年来的薄型器件的情况下，表面阶梯差占器件总厚度的比率变大，利用表面保护带的阶梯差吸收是不充分的，在磨削加工时有时发生半导体晶片的破裂。

为了解决这样的问题，在专利文献1中，提出了通过在半导体晶片表面粘合表面保护带之后进行加热处理，从而使表面保护带变形来缓和在该表面存在的阶梯差，抑制半导体元件制作时的晶片破裂。此外，在专利文献2中，作为消除在表面保护带的表面存在的高阶梯差的方法，也提出了使用具备比阶梯差的高度厚的粘接层的表面保护带的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-317570号公报；

专利文献2：日本特开2006-196710号公报。

发明要解决的问题

可是，在将表面保护带粘贴在半导体晶片表面的方法中，抑制阶梯差的影响的效果并不充分，结果存在晶片破损的情况。此外，也有在半导体晶片的一连串的工序结束的情况下，在晶片表面残存的异物数量多的问题。

发明内容

因此，本发明是鉴于上述那样的问题点而完成的，其目的在于提供一种使被薄化加工了的半导体晶片的厚度均匀化、并且减少在其表面残存的异物数量的技术。

用于解决课题的方案

本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）在第1主面具有阶梯差结构的半导体晶片的所述第1主面上涂覆树脂构件的工序；以及（b）加热所述树脂构件，使该树脂构件的表面平坦化的工序，所述树脂构件也在所述半导体晶片侧面上形成。而且，该制造方法还具备：（c）在所述工序（b）之后，对所述半导体晶片的第2主面实施所述半导体晶片的薄化加工的工序；以及（d）在所述工序（c）之后，从所述半导体晶片除去所述树脂构件的工序。

发明的效果

根据本发明，能够使被薄化加工了的半导体晶片的厚度均匀化。因此，能够抑制半导体晶片破损。此外，能够减少在半导体晶片表面残存的异物的数量。

附图说明

图1是表示实施方式1的半导体装置的制造方法的流程图。

图2是表示步骤S1中的半导体晶片的状态的剖面图。

图3是表示步骤S2中的半导体晶片的状态的剖面图。

图4是表示步骤S3中的半导体晶片的状态的剖面图。

图5是表示步骤S3中的半导体晶片的状态的剖面示意图。

图6是表示步骤S4中的半导体晶片的状态的剖面图。

图7是表示步骤S5中的半导体晶片的状态的剖面示意图。

图8是表示半导体晶片侧面上的树脂构件的厚度和破裂率的关系的图。