[发明专利]金属氧化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110299755.2 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035710A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建铨;李明东;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L29/08;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括额外的注入区，这些注入区位于元件的源极与漏极区中，用以改进元件特定导通电阻(Ron-sp)与崩溃电压(BVD)的特性。元件包括栅极电极，栅极电极形成于通道区之上，在元件衬底中通道区是分离第一与第二注入区。第一注入区具有第一导电型，第二注入区具有第二导电型。源极扩散区形成于第一注入区中，漏极扩散区形成于第二注入区中。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一第一导电型的一阱(well)，该阱形成于一衬底中；一栅极电极，形成于该阱之上；一第一注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第一注入区具有该第一导电型；一第二注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第二注入区具有一第二导电型，该第二注入区透过该栅极电极下的一通道区与该第一注入区分离；一源极扩散区，形成于该第一注入区中，该源极扩散区具有该第二导电型；以及一漏极扩散区，形成于该第二注入区中，该漏极扩散区具有该第二导电型，且相较于该第二注入区具有一较高的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110299755.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
