[发明专利]平面电感器及其制造方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110298426.6 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022000A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘煊杰;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01F17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的平面电感器及其制造方法、半导体器件及其制造方法。所述平面电感器包括：多个金属层，相邻两个所述金属层之间为介质层，金属层之间通过金属栓塞电连接，金属栓塞位于介质层中，至少除底层金属层外的金属层的材料与金属栓塞的材料相同且都为铝或铝铜合金。所述半导体器件包括：半导体衬底和位于所述半导体衬底上的平面电感器。本发明可以得到高品质因子Q的平面电感器，且其制造成本比较低。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 电感器 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种平面电感器，包括：多个金属层，相邻两个所述金属层之间为介质层，所述金属层之间通过金属栓塞电连接，所述金属栓塞位于所述介质层中，其特征在于，至少除底层金属层外的所述金属层的材料与所述金属栓塞的材料相同且都为铝或铝铜合金。
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