[发明专利]平面电感器及其制造方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110298426.6 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022000A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘煊杰;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01F17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 电感器 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种平面电感器，包括：多个金属层，相邻两个所述金属层之间为介质层，所述金属层之间通过金属栓塞电连接，所述金属栓塞位于所述介质层中，其特征在于，至少除底层金属层外的所述金属层的材料与所述金属栓塞的材料相同且都为铝或铝铜合金。
2.如权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述底层金属层的材料为铝、银、铬、钼、镍、钯、铂、钛、钽和铜中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述金属栓塞的深宽比小于或等于1。
4.如权利要求3所述的平面电感器，其特征在于，所述金属栓塞的直径大于或等于3微米。
5.如权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，至少除底层金属层之外的所述金属层的厚度大于或等于3微米。
6.如权利要求3或4所述的平面电感器，其特征在于，所述金属栓塞的深度小于或等于3微米。
7.一种半导体器件，包括：半导体衬底和位于所述半导体衬底上的平面电感器，其特征在于，所述平面电感器为权利要求1至6中任一项所述的平面电感器。
8.一种平面电感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一介质层，所述第一介质层的底部包括图案化的底层金属层；
以所述底层金属层为停止层，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层中形成第一层通孔；
形成第一铝层或铝铜合金层，所述第一铝层或铝铜合金层填充所述第一层通孔以形成第一层金属栓塞，所述第一铝层或铝铜合金层还覆盖所述第一介质层；
对所述第一介质层上的第一铝层或铝铜合金层进行图案化处理，以形成第一金属层。
9.如权利要求8所述的平面电感器的制造方法，其特征在于，所述第一层通孔的深宽比小于或等于1。
10.如权利要求9所述的平面电感器的制造方法，其特征在于，所述第一层通孔的直径大于或等于3微米。
11.如权利要求8所述的平面电感器的制造方法，其特征在于，所述第一铝层或铝铜合金层的厚度大于或等于3微米。
12.如权利要求9或10所述的平面电感器的制造方法，其特征在于，所述第一层通孔的深度小于或等于3微米。
13.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成平面电感器，其特征在于，所述形成平面电感器采用权利要求8至12中任一项所述的平面电感器的制造方法。
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