[发明专利]图形化氮化镓基发光外延片、发光芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种了图形化氮化镓基发光外延片、发光芯片及其制作方法。通过两次外延生长，将图形化技术与氮极性面粗化技术整合，在常规氮化镓基发光二极管芯片内部结构中置入图形化的倒六角锥粗化外延层带。一次外延生长可粗化层作为粗化介质，通过位于芯片内部的沟道，湿法蚀刻可以将靠近沟道的可粗化层边缘部分蚀刻成倒六角锥状形貌带，从而形成图形化粗化层，然后再通过二次外延生长发光层形成图形化发光外延片以及制作电极形成图形化发光芯片。本发明的图形化发光外延片和发光芯片，其内部具有多个倒六角锥形貌带，这样可在图形化技术的基础上更进一步提高取光效率。

主权项

一种图形化氮化镓基发光外延片，其结构包括：衬底；图形化粗化层形成于衬底上，其包含复数个沟道和复数个氮化镓层区块，各个氮化镓层区块通过沟道相互隔离，并且各氮化镓层区块靠近沟道的边缘区域的下表面为倒悬六角锥状粗化形貌；氮化镓基发光外延层形成于图形化粗化层之上，并且填平所有沟道。