[发明专利]一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法，其采用飞秒激光器对衬底以扫描烧蚀的方式制备出纳米级准周期性结构，普通的激光烧蚀方法仅在表面烧蚀出激光光斑大小的坑，本发明的烧蚀方法能在光斑内形成若干图形；以制备的图形化衬底为模板，使用金属有机气相化学沉淀系统生长外延片；以制备的图形化衬底外延片进行芯片制备。本发明实现了高亮度、高稳定性芯片的制备，具有与干法制备图形化衬底的方法相比工艺简单和成本低廉的优势。

主权项

一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底；(2)采用激光烧蚀的方式在衬底表面烧蚀出纳米级准周期性结构；(3)采用金属有机化学气相沉积方法进行外延层生长，外延层包括N型层、多量子阱层和P型层；(4)采用光刻和刻蚀方法在外延层一侧进行刻蚀直到N型层裸露，形成Mesa平台；(5)在P型层上沉积透明导电层，其厚度在100‑3000nm；(6)在前一步骤得到的结构上制备电极，厚度在1500‑2000nm；(7)沉积SiO2保护层，厚度在200‑350nm；(8)将晶圆减薄到100‑200μm厚，切割成分立芯片；其特征在于，步骤(2)所述激光烧灼为采用飞秒激光器进行的激光扫描烧蚀，激光脉宽为30‑150fs，激光能量密度控制在0.05‑0.9mJ/cm2，重复频率为1‑20000Hz，扫描速度为0.1‑1mm/s。