[发明专利]一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201110290769.8 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022277A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;孙英博;武胜利;唐勇;李倩影;薛念亮;刘伟;闫晓红 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 图形 衬底 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法包括以下步骤：
(1)清洗衬底；
(2)采用激光烧蚀的方式在衬底表面烧蚀出纳米级准周期性结构；
(3)采用金属有机化学气相沉积方法进行外延层生长，外延层包括N型层、多量子阱层和P型层；
(4)采用光刻和刻蚀方法在外延层一侧进行刻蚀直到N型层裸露，形成Mesa平台；
(5)在P型层上沉积透明导电层，其厚度在100-3000nm；
(6)在前一步骤得到的结构上制备电极，厚度在1500-2000nm；
(7)沉积SiO2保护层，厚度在200-350nm；
(8)将晶圆减薄到100-200μm厚，切割成分立芯片；
其特征在于，步骤(2)所述激光烧灼为采用飞秒激光器进行的激光扫描烧蚀，激光脉宽为30-150fs，激光能量密度控制在0.05-0.9mJ/cm2，重复频率为1-20000Hz，扫描速度为0.1-1mm/s。
2.如权利要求1所述的一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于所述衬底为蓝宝石、碳化硅或硅。
3.如权利要求1所述的一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于所述纳米级准周期性结构为蒙古包形、类圆锥形或类圆柱形。
4.如权利要求1所述的一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(2)所述烧灼过程中衬底置于水中或者气体环境中，所述气体包括空气、六氟化硫、氢气、氧气或氮气。
5.如权利要求1所述的一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于透明导电层材料为氧化铟锡、氧化锌或金。
6.如权利要求1所述的一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于电极材料为铝、铝/金、镍/金、钛/金、铬/金、铬/铂/金、镍/银/镍/金。
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