[发明专利]一种半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 201110287396.9 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103022087A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结结构的半导体晶片及其制造方法，可以使用较少次光刻工艺和干法刻蚀工艺实现器件的生产制造，可以实现良好柱状的P型半导体和N型半导体区域和在垂直方向上均匀的杂质浓度分布，提高了晶片反向耐压特性和器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，其特征在于：包括：衬底层，一种导电类型半导体材料；多个第一半导体层，相互分离设置在衬底层之上，为第一种导电类型半导体材料；多个第二半导体层，位于第一半导体层的侧壁和第一半导体层之间的衬底层之上，为第二种导电类型半导体材料；多个第三半导体层，位于第二半导体层形成的槽内，为第一种导电类型半导体材料；其中，在与半导体晶片表面垂直方向上设置有多个PN结。
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