[发明专利]一种半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 201110287396.9 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103022087A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶片，其特征在于：包括：
衬底层，一种导电类型半导体材料；多个
第一半导体层，相互分离设置在衬底层之上，为第一种导电类型半导体材料；多个
第二半导体层，位于第一半导体层的侧壁和第一半导体层之间的衬底层之上，为第二种导电类型半导体材料；多个
第三半导体层，位于第二半导体层形成的槽内，为第一种导电类型半导体材料；
其中，在与半导体晶片表面垂直方向上设置有多个PN结。
2.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第三半导体层与衬底层不接触。
3.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第一半导体层垂直晶片的长度大于第三半导体层垂直晶片的长度。
4.如权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在一种导电类型半导体材料衬底上形成第一种导电类型半导体材料外延层；
2)在外延层中形成多个沟槽；
3)在表面形成第二种导电类型半导体材料外延层；
4)在表面形成第一种导电类型半导体材料外延层；
5)对表面进行磨抛。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述的外延层在垂直方向杂质浓度分布均匀。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述的磨抛的深度为要在晶片表面露出第一种导电类型半导体材料外延层。
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