[发明专利]半导体封装铸模装置及方法无效
| 申请号： | 201110282255.8 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021902A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 肖俊义 | 申请（专利权）人： | 国碁电子（中山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56;B29C45/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528437 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体封装铸模装置，包括上模板、与上模板相对设置的下模板以及活塞。所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置基板。所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口。所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口，以使经所述活塞口注入的封胶，沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔，以包覆所述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 铸模 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装铸模装置，包括上模板、与所述上模板相对设置的下模板以及活塞，所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置基板，其特征在于，所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口，所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口，以使经所述活塞口注入的封胶，沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔，以包覆所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
