[发明专利]半导体封装铸模装置及方法

权利要求书

1.一种半导体封装铸模装置，包括上模板、与所述上模板相对设置的下模板以及活塞，所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置基板，其特征在于，所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口，所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口，以使经所述活塞口注入的封胶，沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔，以包覆所述基板。

2.如权利要求1所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述缺口之横截面呈梯形、方形、三角形或者圆弧形。

3.如权利要求1所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述铸模装置设有多个形成于所述活塞口与所述突出部之间的第一流道，所述第一流道与所述活塞口及所述入口相互贯通。

4.如权利要求1所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述凹陷部包括第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部位于所述活塞口和所述突出部之间，所述第二凹陷部与所述第一凹陷部相互贯通并与所述模具型腔相通。

5.如权利要求4所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述基板设有脱胶层，所述脱胶层嵌合于所述基板内并朝向所述上模板，所述基板设有脱胶层的一端收容于所述第一凹陷部以使所述脱胶层邻近所述突出部。

6.如权利要求5所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述脱胶层包括第一层和第二层，所述第一层由铜制成，所述第二层由氧化铜或者有机保护薄膜制成。

7.如权利要求5所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述脱胶层为单层结构，且由铜制成。

8.一种半导体封装铸模方法，其特征在于，所述铸模方法包括步骤：

提供一种基板；

提供一种铸模装置，所述铸模装置包括上模板、与所述上模板相对设置的下模板及活塞，所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置所述基板，所述上模板设有朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口，所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口；

紧密夹紧所述上模板及所述下模板以使所述基板位于所述模具型腔内；

将封胶沿所述活塞口注入，推挤所述活塞以使所述封胶沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔内，以包覆所述基板；以及

硬化所述封胶，打开所述铸模装置以取出铸模制品。

9.如权利要求8所述的半导体封装铸模方法，其特征在于，形成多个第一流道，所述第一流道位于所述活塞口与所述突出部之间，并与所述活塞口及所述入口相互贯通。

10.如权利要求8所述的半导体封装铸模方法，其特征在于，所述缺口之横截面呈梯形、方形、三角形或者圆弧形。