[发明专利]一种增加两次图形曝光工艺窗口的方法有效
申请号: | 201110265283.9 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102446712A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 俞柳江;毛智彪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/311;G03F7/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明一种增加两次图形曝光工艺窗口的方法,其中,调整了硬掩模的厚度为底部抗反射层特定最小厚度的倍数;调整了硬掩模上第二次涂胶底部抗反射层的厚度使其厚度为底部抗反射层特定最小厚度的另一倍数;以此来增强抗反射能力达到最佳效果,进而提高第二次曝光工艺的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 增加 两次 图形 曝光 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】:
一种增加两次图形曝光工艺窗口的方法,包括:进行硬掩模沉积,在硬掩模上进行底部抗反射层的涂胶以及底部抗反射层上光刻胶的涂胶,并对光刻胶和底部抗反射层进行第一次曝光,然后对硬掩模进行第一次刻蚀,并移除第一次曝光的光刻胶与底部抗反射层,其特征在于,以下工艺:进行硬掩模沉积时,使硬掩模的厚度为底部抗反射层特定最小厚度的倍数然后在第一次刻蚀后的硬掩模上进行第二次底部抗反射层的涂胶,使第二次涂胶的底部抗反射层的厚度为底部抗反射层特定最小厚度的另一倍数,对第二次涂胶的底部抗反射层上方进行第二次光刻胶的涂胶,之后对第二次涂胶的光刻胶与底部抗反射层进行曝光并显影,当完成后对硬掩模进行最后刻蚀,并形成最后阻挡在待刻蚀介质上的硬掩模,最后对二次刻蚀过的硬掩模下待刻蚀介质进行刻蚀,使待刻蚀介质在由二次曝光并刻蚀过的硬掩模的掩模下形成图案的节距更近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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