[发明专利]一种增加两次图形曝光工艺窗口的方法有效

专利信息
申请号: 201110265283.9 申请日: 2011-09-08
公开(公告)号: CN102446712A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 俞柳江;毛智彪 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/311;G03F7/00;G03F7/20
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明一种增加两次图形曝光工艺窗口的方法,其中,调整了硬掩模的厚度为底部抗反射层特定最小厚度的倍数;调整了硬掩模上第二次涂胶底部抗反射层的厚度使其厚度为底部抗反射层特定最小厚度的另一倍数;以此来增强抗反射能力达到最佳效果,进而提高第二次曝光工艺的精度。
搜索关键词: 一种 增加 两次 图形 曝光 工艺 窗口 方法
【主权项】:
一种增加两次图形曝光工艺窗口的方法,包括:进行硬掩模沉积,在硬掩模上进行底部抗反射层的涂胶以及底部抗反射层上光刻胶的涂胶,并对光刻胶和底部抗反射层进行第一次曝光,然后对硬掩模进行第一次刻蚀,并移除第一次曝光的光刻胶与底部抗反射层,其特征在于,以下工艺:进行硬掩模沉积时,使硬掩模的厚度为底部抗反射层特定最小厚度的倍数然后在第一次刻蚀后的硬掩模上进行第二次底部抗反射层的涂胶,使第二次涂胶的底部抗反射层的厚度为底部抗反射层特定最小厚度的另一倍数,对第二次涂胶的底部抗反射层上方进行第二次光刻胶的涂胶,之后对第二次涂胶的光刻胶与底部抗反射层进行曝光并显影,当完成后对硬掩模进行最后刻蚀,并形成最后阻挡在待刻蚀介质上的硬掩模,最后对二次刻蚀过的硬掩模下待刻蚀介质进行刻蚀,使待刻蚀介质在由二次曝光并刻蚀过的硬掩模的掩模下形成图案的节距更近。
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