[发明专利]半导体装置及形成其电阻性结构的方法

摘要

本发明涉及半导体装置及形成其电阻性结构的方法。在精密的半导体装置中，可通过使用多晶硅材料，以提供电阻器和高-k金属栅极电极结构，而不需劣化结晶的本质和与该高-k介电栅极材料一同使用的导电性含金属盖体材料的导电性。在此方法中，可得到较优的电阻数值的均匀性，但与此同时，却可降低整体制程的复杂度。

主权项

一种半导体装置，包含：晶体管，包含栅极电极结构，该栅极电极结构包含第一堆栈材料层和含金属电极材料，该第一堆栈材料层包含高‑k栅极介电材料，而该含金属电极材料是在该高‑k栅极介电材料上方；以及电阻器，包含第二堆栈材料层，该第二堆栈材料层包含该高‑k介电材料、该含金属电极材料、和形成在该含金属电极材料上方的多晶硅栅极材料，其中，该第一和第二堆栈材料层中的该含金属电极材料具有实质相同的结晶结构。