[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种能够实现在维持低通态电阻的状态下提高耐压的半导体装置及其制造方法。实施方式涉及的半导体装置具备第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、控制电极、第一主电极、内部电极和绝缘区域。控制电极设置在沟槽的内侧。第一主电极与第三半导体区域导通，设置在沟槽的外侧。内部电极设置在沟槽内，与第一主电极导通。绝缘区域设置在沟槽内壁与第一主电极之间以及沟槽内壁与内部电极之间。内部电极具有包含在比控制电极靠沟槽底面侧的第一区域中的第一内部电极部、和包含在第一区域与第一主电极之间的第二区域中的第二内部电极部。第一内部电极部与沟槽内壁之间的间隔，比第二内部电极部与沟槽内壁之间的间隔宽。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，设置在上述第一半导体区域的主面上；第一导电型的第三半导体区域，设置在上述第二半导体区域之上；控制电极，设置在贯通上述第三半导体区域和上述第二半导体区域直至上述第一半导体区域的沟槽的内侧，在沿上述主面的第一方向上延伸；第一主电极，与上述第三半导体区域导通，设置在上述沟槽的外侧；内部电极，与上述第一主电极导通，在上述沟槽的内侧，与上述控制电极相间隔地设置；和绝缘区域，设置在上述沟槽内壁与上述第一主电极之间、以及上述沟槽内壁与上述内部电极之间，上述内部电极具有：第一内部电极部，在上述沟槽的内侧，设置在比上述控制电极靠上述沟槽的底面侧的第一区域；和第二内部电极部，在上述沟槽的内侧，设置在上述第一区域与上述第一主电极之间的第二区域，在沿上述主面的方向中，在与上述第一方向正交的第二方向上，上述第一内部电极部与上述沟槽内壁之间的间隔，比上述第二内部电极部与上述沟槽内壁之间的间隔宽。