[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效
申请号: | 201110233014.4 | 申请日: | 2011-08-05 |
公开(公告)号: | CN102376713A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 井上广树;加藤清;松崎隆德;长塚修平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L21/8239;G11C11/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体装置及其驱动方法。所公开的发明的一个方式的目的之一在于提供一种即使没有电力供给也能够保持存储内容并且对写入次数也没有限制的具有新的结构的半导体装置。该半导体装置,包括:多个存储单元,该存储单元具有使用第一半导体材料的晶体管、使用与第一半导体材料不同的第二半导体材料的晶体管以及电容元件;以及电位转换电路,该电位转换电路具有一种功能,即在写入期间中将电源电位供应到源极线。由此,可以充分抑制半导体装置的耗电量。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:写入字线;写入及读出字线;位线;源极线;电连接于所述源极线的电位转换电路;以及存储单元,该存储单元包括:包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及第一沟道形成区的第一晶体管;包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以及第二沟道形成区的第二晶体管;以及电容元件,其中,所述第一沟道形成区的半导体材料与所述第二沟道形成区的半导体材料不同,所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方以及所述电容元件的一方电极彼此电连接,所述第二栅电极电连接于所述写入字线,所述电容元件的另一方电极电连接于所述写入及读出字线,所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方及所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方电连接于所述位线,所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方电连接于所述源极线,所述第一晶体管为n沟道型晶体管,并且,所述电位转换电路在写入期间中将电源电位供应到所述源极线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的