[发明专利]用激光切割半导体晶圆的制作方法有效
| 申请号： | 201110232505.7 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102468233A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 花长煌;陈炳维;黄释正;何铨斌;秦侦哲 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/36;B23K26/42 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用激光切割半导体晶圆的制作方法，可以有效避免半导体晶粒上的组件在激光切割后因后续制作过程所产生的蚀刻底切现象，包含以下步骤：将保护层覆盖于晶圆表面；对晶圆进行激光切割并分离各晶粒单元；以湿蚀刻去除晶粒上组件的激光切割残余物；以及去除保护层并清洁晶粒上的组件。保护层材质的选择必须考虑下列因素：(1)保护层的材质必须对晶圆有较佳的附着及覆盖能力；(2)保护层的材质必须能够抵挡蚀刻残余物的酸性或碱性蚀刻溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 切割 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用激光切割半导体晶圆的制作方法，其步骤包含：将保护层覆盖于半导体晶圆表面；对半导体晶圆进行激光切割并分离晶粒单元；以湿蚀刻去除晶粒上组件的激光切割残余物；以及去除保护层并清洁晶粒上组件；其中保护层的材质包含下列特性：能对该半导体晶圆具有良好覆盖能力；能够抵抗去除激光切割残余物的蚀刻溶液；以及于覆盖以及去除该保护层的步骤不会破坏固定半导体晶圆的胶膜特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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