[发明专利]一种缩小侧墙定义的两次图形曝光工艺中最小线宽的方法

摘要

本发明公开了一种缩小侧墙定义的两次图形曝光工艺中的最小线宽的方法，其利用二氧化硅薄膜作为掩膜，同时利用化学机械抛光工艺和刻蚀工艺，将氮化硅侧墙转换成为位于层间绝缘介质层中的沟槽，从而使得沟槽的最小线宽由氮化硅侧墙薄膜的厚度决定，进而实现了沟槽更小的线宽，工艺过程简单易控制。

主权项

一种缩小侧墙定义的两次图形曝光工艺中的最小线宽的方法，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：提供一硅衬底，并在所述硅衬底上依次沉积一层下层介质、一间绝缘介质层，以及一硬掩膜牺牲层；步骤S2：在所述硬掩膜牺牲层之上涂覆一层光刻胶，并进行光刻工艺；步骤S3：以所述光刻胶为掩膜刻蚀所述硬掩膜牺牲层形成硬掩膜牺牲层保留结构，并移除所述光刻胶；步骤S4：在所述层间绝缘介质层和硬掩膜牺牲层保留结构之上沉积一层氮化硅薄膜，并利用干法刻蚀刻蚀所述氮化硅薄膜，以在硬掩膜牺牲层保留结构两侧上形成氮化硅侧墙，并随后移除硬掩膜牺牲层保留结构；步骤S5：在所述层间绝缘介质和所述氮化硅侧墙上沉积一层二氧化硅薄膜；步骤S6：对所述二氧化硅薄膜进行平坦化工艺，以使得氮化硅侧墙周围的二氧化硅薄膜的高度与所述氮化硅侧墙的高度一致；步骤S7：移除氮化硅侧墙，形成位于所述二氧化硅薄膜中的移除的所述氮化硅侧墙位置处的沟槽；步骤S8：以所述二氧化硅薄膜为掩膜并利用二氧化硅薄膜中的沟槽刻蚀所述层间绝缘介质层，形成所需的位于层间绝缘介质中的沟槽，并移除所述二氧化硅薄膜。