[发明专利]半导体装置及半导体装置的生产方法有效
| 申请号： | 201110221660.9 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102324404A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 奥山敦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及半导体装置的生产方法，该连接焊盘具有由金属材料制造的露出表面，该金属材料比与其连接的配线层的金属更不容易扩散进入介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；介电层，在所述基板的一侧；焊盘，在所述介电层的凹槽内；以及其中，所述焊盘的至少露出的顶表面的区域由金属材料制造，并且绝缘层形成在另一个基板上，所述绝缘层与所述介电层相邻。
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