[发明专利]双半导体芯片单次压模工艺有效
| 申请号： | 201110213819.2 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102270591A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 桑林波;韩福彬;陶少勇 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/56 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523750 广东省东莞市黄江镇裕元工*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 双半导体芯片单次压模工艺，步骤包括：（a）用压模面尺寸超过双芯片并列大小的压模头压出锡形状，然后放置第一芯片在锡上并下压形成芯片与基板焊接；（b）放置第二芯片在锡上并下压形成芯片与基板焊接。本发明用单个较大压模头压出两个芯片所需要的焊锡形状大小，压模头愈大，压出锡的形状越完美，然后依次进行焊接第一芯片和第二芯片的动作，可以形成比较完美的锡的形状，并且倾斜度较小，利于后续作业；同时节约改机时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 单次压模 工艺 | ||
【主权项】：
双半导体芯片单次压模工艺，其特征在于：步骤包括：（a）用压模面尺寸超过双芯片并列大小的压模头压出锡形状，然后放置第一芯片在锡上并下压形成芯片与基板焊接；（b）放置第二芯片在锡上并下压形成芯片与基板焊接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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