[发明专利]沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法有效
| 申请号： | 201110207286.7 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102347278A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 汉密尔顿·卢;拉兹洛·利普赛依 | 申请（专利权）人： | 凹凸电子(武汉)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 430074 武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法。该方法包括：在衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层上部的多个沟槽区域内形成多个沟槽底部氧化层；通过合并外延层横向过生长在所述多个沟槽底部氧化层的上部生长出第二外延层；根据所述多个沟槽底部氧化层的位置对所述第二外延层的局部进行具有终点模式的等离子干法蚀刻，形成沟槽MOSFET的多个沟槽。采用本发明的制造方法，可以降低沟槽金属氧化物半导体场效应管的工艺制造成本，同时提高每一层的质量和纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽金属氧化物半导体场效应管MOSFET的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层上部的多个沟槽区域内形成多个沟槽底部氧化层；通过合并外延层横向过生长在所述多个沟槽底部氧化层的上部生长出第二外延层；根据所述多个沟槽底部氧化层的位置对所述第二外延层的局部进行具有终点模式的等离子干法蚀刻，形成沟槽MOSFET的多个沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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