[发明专利]沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽金属氧化物半导体场效应管MOSFET的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底上形成第一外延层；

在所述第一外延层上部的多个沟槽区域内形成多个沟槽底部氧化层；

通过合并外延层横向过生长在所述多个沟槽底部氧化层的上部生长出第二外延层；

根据所述多个沟槽底部氧化层的位置对所述第二外延层的局部进行具有终点模式的等离子干法蚀刻，形成沟槽MOSFET的多个沟槽。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述多个沟槽区域内淀积多晶薄膜，从而在所述多个沟槽底部氧化层的上部和所述第二外延层的下部形成多个多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一外延层的上部形成N型重掺杂层；

在所述多个沟槽区域内对所述N型重掺杂层的局部进行蚀刻，从而在所述第一外延层的上部和所述多个沟槽底部氧化层的下部形成多个沟槽底部掺杂层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

向所述多个沟槽区域内淀积N型重掺杂材料，从而在所述第一外延层的上部和所述多个沟槽底部氧化层的下部形成多个沟槽底部掺杂层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一外延层生长至预设的外延层厚度的一部分，所述第二外延层生长至所述预设的外延层厚度的剩余部分。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二外延层的上部形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上淀积光致抗蚀剂，从而对所述多个沟槽区域进行图案化，其中所述光致抗蚀剂的边缘与所述多个沟槽底部氧化层的边缘成一条直线；

在所述沟槽区域内，对所述第一氧化层的一部分进行具有所述终点模式的等离子干法蚀刻；

在形成所述沟槽MOSFET的多个沟槽后，移除所述光致抗蚀剂。

7.根据权利要求6所示的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述多个沟槽底部氧化层上和所述第一氧化层的剩余部分上生长出牺牲氧化层；

采用湿法缓冲氧化蚀刻，移除所述牺牲氧化层和所述第一氧化层的剩余部分。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

形成多个栅极氧化层，从而将所述第二外延层的剩余部分包围；

在所述多个沟槽区域内形成多个多晶硅层；

对所述多个多晶硅层进行具有所述终点模式的凹蚀，从而填充所述沟槽MOSFET的多个沟槽。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

向所述第二外延层的剩余部分注入并推进掺杂物，从而形成所述沟槽的主体区域；

注入并推进N型掺杂物，从而形成多个N型重掺杂层；

淀积硼磷硅玻璃，从而在所述栅极氧化层的上部形成多个硼磷硅玻璃层；

推进并注入P型掺杂物，从而形成与所述N型重掺杂层相邻的多个P型重掺杂层。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

蚀刻所述第一外延层上的第二氧化层的一部分，从而形成所述多个沟槽底部氧化层。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

淀积化学气相淀积氧化物，从而在所述第一外延层的上部形成第三氧化层；

对所述第三氧化层进行具有所述终点模式的凹蚀，从而形成所述多个沟槽底部氧化层。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

淀积正硅酸乙酯，从而在所述第一外延层的上部形成第三氧化层；

对所述第三氧化层进行具有所述终点模式的凹蚀，从而形成所述多个沟槽底部氧化层。