[发明专利]沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110168499.3 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102842604A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 赵佳;朱阳军;卢烁今;孙宝刚;左小珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。
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