[发明专利]沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110168499.3 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102842604A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 赵佳;朱阳军;卢烁今;孙宝刚;左小珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：
漂移区；
位于漂移区正面内的有效基区；
位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；
其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管的一个元胞内，有效沟槽栅和无效沟槽栅的个数均为2。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，在所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管的一个元胞内，相邻的有效沟槽栅与无效沟槽栅之间为悬空的无效基区。
4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，在所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管的一个元胞内，相邻的有效沟槽栅与无效沟槽栅之间为漂移区。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括：
位于有效基区内的发射极区；
位于漂移区背面内依次设置的缓冲区和集电极区。
6.根据权利要求1～5任一项所述的晶体管，其特征在于，所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管为N沟道沟槽栅型绝缘栅双极晶体管。
7.一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管制作方法，其特征在于，包括：
采用轻掺杂的硅衬底作为沟槽栅型绝缘栅双极晶体管的漂移区；
在所述漂移区正面内形成有效基区及沟槽栅；
其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述漂移区正面内形成有效基区及沟槽栅，具体包括：
通过离子注入工艺在所述漂移区正面内形成基区；
通过光刻、刻蚀工艺在所述漂移区内形成多个沟槽，且所述多个沟槽将基区分割成多个区域，在基区被分割成的多个区域中，中间的一个区域称为有效基区，两边的区域称为无效基区；
在所述多个沟槽内填充栅极材料，从而形成沟槽栅，在所述沟槽栅中，与有效基区相邻的沟槽栅称为有效沟槽栅，远离有效基区的沟槽栅称为无效沟槽栅。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述漂移区正面内形成有效基区及沟槽栅，具体包括：
通过光刻、刻蚀工艺在所述漂移区内形成多个沟槽；
在所述多个沟槽内填充栅极材料，从而形成沟槽栅；
通过离子注入工艺在位于中间的两个沟槽栅之间的漂移区内形成有效基区，其中，与有效基区相邻的沟槽栅称为有效沟槽栅，远离有效基区的沟槽栅称为无效沟槽栅。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述有效基区内形成发射极区；
在所述漂移区背面内形成缓冲区；
在所述缓冲区内形成集电极区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110168499.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有带横向开口的终端体的传动遥控组件
- 下一篇：数据流量提醒方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
