[发明专利]准光子晶体图形蓝宝石衬底及其制造方法、发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110161492.9 申请日: 2011-06-15
公开(公告)号: CN102244170A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 刘洪刚;张雄 申请(专利权)人: 江苏晶瑞半导体有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/44;H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 周静
地址: 213314 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及蓝宝石衬底、其制造方法,采用这种蓝宝石衬底的发光二极管及其制备方法,所述蓝宝石衬底表面具有准光子晶体结构的图形结构,所述图形结构中露出的蓝宝石衬底C面在整个蓝宝石衬底面积中所占比例低。所述蓝宝石衬底,表面具有准光子晶体结构的图形结构,所述图形结构由子区域周期性排列而成,晶格常数为0.2~5μm,相邻子区域之间的空间为V型或类似V型,所述子区域延伸至蓝宝石衬底C面的侧壁与蓝宝石衬底C面的夹角为25~60°,所述图形结构中露出的蓝宝石衬底C面所占比例低于20%。蓝宝石衬底的制造方法为,在蓝宝石衬底表面形成光子晶体结构,然后用磷酸/硫酸混合液对光子晶体侧壁进行各向异性腐蚀,形成准光子晶体的图形结构。
搜索关键词: 光子 晶体 图形 蓝宝石 衬底 及其 制造 方法 发光二极管 制备
【主权项】:
一种蓝宝石衬底,其特征在于表面具有准光子晶体结构的图形结构,所述图形结构由子区域周期性排列而成,晶格常数为0.2~5μm,相邻子区域之间的空间为V型或类似V型,所述子区域延伸至蓝宝石衬底C面的侧壁与蓝宝石衬底C面的夹角为25~60°,所述图形结构中露出的蓝宝石衬底C面在整个蓝宝石衬底面积中所占比例低于20%。
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