[发明专利]基于N型硅片的背接触异质结太阳电池

摘要

本发明涉及一种太阳电池，具体涉及一种基于N型硅片的背接触异质结太阳电池。从背面特征分为N型区域和P型区域，N型区域形成N+a-si/i-a-si/N-c-si/N+c-si异质结结构，P型区域形成N+a-si/i-a-si/N-c-si/N+c-si/i-a-si/P-a-si异质结结构。本发明的太阳电池不会出现常规P型晶硅太阳电池光致衰减现象，具有更好的光谱响应，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，即避免了常规太阳电池正面电极遮光的问题，大大提高太阳电池的转化效率；低温烧结工艺大大简化生产工艺、降低生产成本，适用于产业化生产。

主权项

一种基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，从背面特征分为N型区域和P型区域，其特征在于：N型区域包括由上到下依次叠层结合的受光面减反射膜、N+ a‑Si N+非晶硅薄膜、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、N‑C‑Si N型晶体硅、N+ c‑Si N+晶硅层、透明导电薄膜TCO和背电极，形成N+ a‑si/ i‑ a‑si/N‑c‑si/N+c‑si异质结结构；P型区域包括由上到下依次叠层结合的受光面减反射膜、N+ a‑Si N+非晶硅薄膜、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、N‑C‑Si N型晶体硅、N+ c‑Si N+晶硅层、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、P‑a‑Si非晶硅薄膜、透明导电薄膜TCO和背电极，形成N+ a‑si/ i‑ a‑si/N‑c‑si/N+c‑si/i‑a‑si/P‑a‑si异质结结构。