[发明专利]基于N型硅片的背接触异质结太阳电池

权利要求书

1.一种基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，从背面特征分为N型区域和P型区域，其特征在于：N型区域包括由上到下依次叠层结合的受光面减反射膜、N+ a-Si N+非晶硅薄膜、i-a-Si本征非晶硅薄膜、N-C-Si N型晶体硅、N+ c-Si N+晶硅层、透明导电薄膜TCO和背电极，形成N+ a-si/ i- a-si/N-c-si/N+c-si异质结结构；P型区域包括由上到下依次叠层结合的受光面减反射膜、N+ a-Si N+非晶硅薄膜、i-a-Si本征非晶硅薄膜、N-C-Si N型晶体硅、N+ c-Si N+晶硅层、i-a-Si本征非晶硅薄膜、P-a-Si非晶硅薄膜、透明导电薄膜TCO和背电极，形成N+ a-si/ i- a-si/N-c-si/N+c-si/i-a-si/P-a-si异质结结构。

2.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述的受光面减反射膜为SiO₂、Si₃N₄、Ta₂O₅或TiO₂，减反射膜厚度为70~90nm，折射率为1.5~2.5。

3.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，其特征在于：采用化学气相沉积工艺在N型晶体硅上面和P型区域的N+晶硅层下面制作本征非晶硅薄膜，厚度为1~50nm。

4.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述的N型晶体硅为单晶硅、太阳能级或金属级多晶硅、带状硅，其厚度为120~220um，掺杂浓度为1×10¹⁵～5×10¹⁷/cm³。

5.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述的N型晶体硅下层的N⁺型晶体硅层，其厚度为0.1~0.5um，浓磷掺杂浓度为1×10¹⁸～5×10²⁰/cm³。

6.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，其特征在于： P型区域中，采用化学气相沉积工艺在本征非晶硅薄膜下面沉积一层P-a-Si非晶硅薄膜，厚度为1~50nm。

7.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，其特征在于：透明导电薄膜TCO为氧化物透明导电材料体系，为In₂O₃、SnO₂、ZnO、In₂O₃:Sn(ITO)、In₂O₃:Mo(IMO)、SnO₂:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)、ZnO:Al(ZnO)、ZnO·SnO₂、ZnO·In₂O₃、CdSb₂O₆、MgIn₂O₄、In₄Sn₃O₁₂、Zn₂In₂O₅、CdIn₂O₄、Cd₂SnO₄、Zn₂SnO₄、GaInO₃中的一种，其厚度为50nm~900nm。

8.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述的背电极为Al、Ag、Au、Ni 、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag电极，其厚度为50nm~600um。