[发明专利]自对准工艺制备的半导体功率器件以及更加可靠的电接触有效
| 申请号： | 201110152215.1 | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102270662A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 哈姆扎·依玛兹;陈军;伍时谦;李文军 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/314;H01L21/28;H01L27/10 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 工艺 制备 半导体 功率 器件 以及 更加 可靠 接触 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件，其特征在于，包括：栅极沟槽，具有凹陷的栅极电极，位于半导体衬底的顶部，在栅极沟槽之间具有基本水平的半导体突起；本体区位于基本水平的半导体突起顶部，本体区接触突起中间处的顶面；源极区位于半导体突起的顶部，邻近栅极沟槽侧壁的顶部；源极/本体硅化物，在半导体突起的顶面，接触源极区和本体区；以及电介质插头，形成在凹陷的栅极电极上方。
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