[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法。异质结太阳能电池包括晶体硅片衬底，在衬底上分别淀积有N型硅薄膜层和P型硅薄膜层，在N型硅薄膜层和/或P型硅薄膜层上淀积有透明导电膜，在透明导电膜上或/和在衬底本体上设有背接触结构电极。其制作方法包括在衬底表面淀积N型硅薄膜层和P型硅薄膜层；在N型硅薄膜层和/或P型硅薄膜层上淀积透明导电膜；制作电极；烧结成产品等步骤。本发明有效结合了背接触电池优秀的表面钝化性能和异质结电池的低温工艺优势；可有效避免硅材料的少子寿命和扩散长度的降低；增加电池对紫外光的短波响应和减少衬底电阻的损失；并有效减少或消除表面栅线造成的光损失。

主权项

一种异质结太阳能电池，其特征在于：包括晶体硅片衬底，在衬底上分别淀积有N型硅薄膜层和P型硅薄膜层，在N型硅薄膜层和/或P型硅薄膜层上淀积有透明导电膜，在N型硅薄膜层和/或P型硅薄膜层与衬底之间形成异质结，在N型硅薄膜层和P型硅薄膜层之间形成P‑N结，在透明导电膜上和衬底本体上设有背接触结构电极。