[发明专利]具有多单元阵列的半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110056959.3 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102169934A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 金制远;张泰盛;禹钟均;李钟昊 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括：基底；多个发光单元，布置在所述基底上，每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层；互连结构，将发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个电连接到其它发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个；光转换部分，形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中，所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单元 阵列 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：基底；多个发光单元，布置在所述基底上，每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层；互连结构，将发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个电连接到其它发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个；光转换部分，形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中，所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个。
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