[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110053469.8 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102683281A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一栅极结构的NMOS器件和包括第二栅极结构的PMOS器件；第一应力衬里，至少形成在所述NMOS器件的第一栅极结构的两侧；第二应力衬里，至少形成在所述PMOS器件的第二栅极结构的两侧；其中，所述第一应力衬里为具有张应力的旋涂玻璃(SOG)膜，所述第二应力衬里由能够将压应力引入PMOS器件沟道中的材料形成。本发明可以在仍保持有张应变的优势的情况下降低使用同种材料例如氮化物制造双应力衬里的工艺难度，并且可降低高介电常数氮化物对器件互连延迟的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：包括第一栅极结构的NMOS器件（102A）和包括第二栅极结构的PMOS器件（102B）；第一应力衬里（120），至少形成在所述NMOS器件的第一栅极结构的两侧；第二应力衬里（140），至少形成在所述PMOS器件的第二栅极结构的两侧；其中，所述第一应力衬里为具有张应力的旋涂玻璃(SOG)膜，所述第二应力衬里由能够将压应力引入PMOS器件沟道中的材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
