[发明专利]用于n型或p型沟道晶体管的层叠结构及平面反向电路有效
| 申请号： | 201110034825.1 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102169899A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 麦西亚斯·派斯雷克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于n型或p型沟道晶体管的层叠结构及平面反向电路。在一实施例中，层叠结构可用于制造n型沟道晶体管。层叠结构包含一第一半导体层，具有一导带最低能阶EC1；一第二半导体层，具有一分离的空穴能阶H0；一宽能隙半导体阻挡层，位于此第一及此第二半导体层之间；一栅极介电层，位于此第一半导体层上；一栅极金属层，位于此栅极金属层上，其中此分离的空穴能阶H0低于导带最低能阶EC1，以施予零偏压至此栅极金属层。采用本发明实施例中的层叠结构的晶体管，具有增大的平均有效质量，并能急遽变换沟道载子密度及漏极电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟道 晶体管 层叠 结构 平面 反向 电路 | ||
【主权项】：
一种用于n型沟道晶体管的层叠结构，包括：一第一半导体层，具有一导带最低能阶EC1；一第二半导体层，具有一分离的空穴能阶H0；一宽能隙半导体阻挡层，位于该第一及该第二半导体层之间；一栅极介电层，位于该第一半导体层上；以及一栅极金属层，位于该栅极介电层上；其中该分离的空穴能阶H0低于该导带最低能阶EC1，以施予零偏压至该栅极金属层。
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